#1 |
数量:7184 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:7184 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:2948 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
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规格书 |
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文档 |
Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 13A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 8 mOhm @ 13A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.7V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 29nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1695pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2.2W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装 | Power56 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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